ڌاتوءَ واري فلم IGBT سنبر ڪيپيسيٽر - CRE

مختصر وضاحت:

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائون لوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

لاڳاپيل وڊيو

راءِ (2)

هن مقصد کي ذهن ۾ رکندي، اسان ٽيڪنالاجي طور تي سڀ کان وڌيڪ جديد، قيمت-موثر، ۽ قيمت-مقابلي واري ٺاهيندڙن مان هڪ بڻجي ويا آهيونميڊيڪل اميجنگ لاءِ استعمال ٿيندڙ فلم ڪيپيسيٽر , اليڪٽرڪ گاڏين لاءِ پاور ڪيپيسٽر , پاور اليڪٽرانڪ فلم ڪيپيسيٽر، اسان جا مکيه مقصد دنيا جي چوڌاري اسان جي صارفين کي اعليٰ معيار، مقابلي واري وڪري جي قيمت، مطمئن ترسيل ۽ شاندار فراهم ڪندڙن سان پهچائڻ آهن.

ڌاتو فلم IGBT سنبر ڪيپيسيٽر - CRE تفصيل:

ٽيڪنيڪل ڊيٽا

آپريٽنگ گرمي پد جي حد	وڌ ۾ وڌ آپريٽنگ گرمي پد، مٿي، وڌ ۾ وڌ: +105℃ مٿئين درجي جو گرمي پد: +85℃ هيٺين درجي جو گرمي پد: -40℃
گنجائش جي حد	0.1μF~5.6μF
ريٽيڊ وولٽيج	700V.DC~3000V.DC
ڪيپ ٽول	±5٪ (جي) ; ±10٪ (ڪ)
وولٽيج برداشت ڪريو	1.5 ان ڊي سي/10 ايس
ضايع ٿيڻ جو عنصر	ٽي جي ڊي ≤0.0005 سي ≤1μF ف = 10 ڪلو هرٽز ٽي جي ڊي ≤0.001 سي ≥1μF ف = 10 ڪلو هرٽز
موصليت جي مزاحمت	سي ≤0.33μF آر ايس ≥15000 ايمΩ (20 ℃ 100 وي ڊي سي 60 ايس تي) سي <0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S تي)
هڙتال واري ڪرنٽ کي برداشت ڪريو	具体见规格表
شعلي جي گھٽتائي	UL94V-0 يوزر مينوئل
زندگي جي اميد	100000h (Un؛ Θhotspot≤85°C)
حوالو معيار	IEC61071؛ جي بي/ٽي 17702؛

وولٽيج			700V.DC، Urms400V؛ Us1050V
	ماپ (ايم ايم)
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	ESR @100KHz (mΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	بجلي @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


وولٽيج			1000V کان گهٽ ڊي سي، 500V يو آر ايم؛ 1500V يو آر ايم
	ماپ (ايم ايم)
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

وولٽيج			1200V.DC، Urms550V؛ Us1800V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

وولٽيج			1700V.DC، Urms575Vac؛ Us2250V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

وولٽيج			اڻ 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

وولٽيج			3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

خاصيت

1. پلاسٽڪ، رال سان بند ٿيل؛

2. ٽين پليٽ ٿيل ڪاپر انسرٽس ليڊز، IGBT لاءِ آسان تنصيب؛

3. هاءِ وولٽيج، گهٽ tgδ، گهٽ گرمي پد ۾ واڌ جي مزاحمت؛

4. گھٽ ESL ۽ ESR؛

5. تيز نبض وارو وهڪرو.

گھٽ انڊڪٽنس اندروني تعميرات، اختياري ٺهيل رال ڪيس، ۽ ڪسٽمائيز ٽرمينيشن استعمال ڪندي، SMJ-P سيريز تيز سوئچنگ IGBTS لاءِ ٺهيل آهن ۽ سنبرز ۽ هاءِ ڪرنٽ هاءِ فريڪوئنسي ان پٽ فلٽر طور ڪم ڪري سگهن ٿيون.

پيداوار جي تفصيل جون تصويرون:

لاڳاپيل پراڊڪٽ گائيڊ:

"اعليٰ معيار جون شيون ٺاهڻ ۽ سڄي دنيا جي ماڻهن سان دوستي ڪرڻ" جي عقيدي تي قائم رهندي، اسان هميشه گراهڪن جي دلچسپي کي پهرين نمبر تي رکون ٿا چين ٺاهيندڙ لاءِ ڊي سي-لنڪ ڪيپيسيٽر پاور سپلاءِ لاءِ - ميٽيلائيزڊ فلم IGBT سنبر ڪيپيسيٽر - CRE، پراڊڪٽ سڄي دنيا کي فراهم ڪندو، جهڙوڪ: ناروي، مارسيل، گھانا، 11 سالن دوران، اسان 20 کان وڌيڪ نمائشن ۾ حصو ورتو آهي، هر گراهڪ کان سڀ کان وڌيڪ تعريف حاصل ڪئي آهي. اسان جي ڪمپني ان "گراهڪ کي پهرين" وقف ڪري رهي آهي ۽ گراهڪن کي انهن جي ڪاروبار کي وڌائڻ ۾ مدد ڪرڻ لاءِ پرعزم آهي، ته جيئن اهي بگ باس بڻجي وڃن!

محوري سنبر فلم ڪيپيسيٽر