هول سيل قيمت چائنا اي سي فلم ڪيپيسيٽر - ڌاتو فلم IGBT سنبر ڪيپيسيٽر - CRE

مختصر وضاحت:

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائونلوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

لاڳاپيل وڊيو

راءِ (2)

گهڻو ڪري گراهڪ تي مبني، ۽ اهو اسان جو حتمي مقصد آهي ته نه رڳو شايد سڀ کان وڌيڪ معزز، قابل اعتماد ۽ ايماندار فراهم ڪندڙ، پر اسان جي گراهڪن لاء پارٽنر پڻ.Ultracapacitor بيٽري , گھٽ ESL فلم Capacitor , Igbt لاء Snubber Capacitor، اسان وٽ هاڻي چار معروف حل آهن.اسان جي پروڊڪٽس تمام مؤثر وڪرو نه رڳو چيني مارڪيٽ دوران، پر پڻ عالمي صنعت دوران ڀلي ڪري آيا.

هول سيل قيمت چائنا اي سي فلم ڪيپيسيٽر - ڌاتو واري فلم IGBT سنبر ڪيپيسيٽر - CRE تفصيل:

ٽيڪنيڪل ڊيٽا

آپريٽنگ جي درجه حرارت جي حد	وڌ ۾ وڌ. آپريٽنگ درجه حرارت.، مٿي، وڌ ۾ وڌ: +105 ℃ اپر درجه حرارت: +85 ℃ لوئر درجه حرارت: -40 ℃
گنجائش جي حد	0.1μF ~ 5.6μF
شرح وولٹیج	700V.DC ～3000V.DC
ڪيپ ٽول	±5%(J)؛ ±10%(K)
وولٹیج کي برداشت ڪريو	1.5Un DC/10S
خارج ڪرڻ وارو عنصر	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHztgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
موصليت جي مزاحمت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S تي) C＞0.33μF RS*C≥5000S (at20℃ 100V.DC 60S)
موجوده هڙتال کي برداشت ڪريو	具体见规格表
شعاع جي بندش	UL94V-0
زندگي جي اميد	100000h (Un؛ Θhotspot≤85°C)
حوالو معيار	IEC61071؛ GB/T17702؛

وولٽيج			Un 700V.DC، Urms400Vac؛ Us1050V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR @ 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33


وولٽيج			Un 1000V.DC، Urms500Vac؛ Us1500V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974ع	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

وولٽيج			Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974ع	32

وولٽيج			Un 1700V.DC، Urms575Vac؛ Us2250V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884. ٿو	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980ع	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

وولٽيج			Un 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984. ٿو	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

وولٽيج			Un3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

خاصيت

1. پلاسٽڪ، resin سان مهر؛

2. Tin-plated copper inserts Leads، IGBT لاءِ آسان تنصيب؛

3. اعلي وولٹیج جي مزاحمت، گھٽ tgδ، گھٽ درجه حرارت اڀار؛

4. گھٽ ESL ۽ ESR؛

5. هاء نبض موجوده.

گھٽ انڊڪٽانس اندروني اڏاوتن کي استعمال ڪندي، اختياري ٺهيل رال ڪيس، ۽ ڪسٽمائيز ٽرمينيشنز، SMJ-P سيريز تيز رفتار سوئچنگ IGBTS لاءِ ٺهيل آهن ۽ سنوبرز ۽ اعلي موجوده هاءِ فریکوئنسي ان پٽ فلٽر جي طور تي ڪم ڪري سگهن ٿيون.

پيداوار جي تفصيل تصويرون:

لاڳاپيل پراڊڪٽ گائيڊ:

اسان "معيار، ڪارڪردگي، جدت ۽ سالميت" جي اسان جي ڪمپني جي روح سان گڏ رهون ٿا.اسان جو مقصد اسان جي گراهڪن لاءِ وڌيڪ قدر پيدا ڪرڻ آهي اسان جي وسيع وسيلن، جديد مشينري، تجربيڪار ڪارڪنن ۽ هول سيل قيمت لاءِ شاندار حل چائنا اي سي فلم ڪيپيسيٽر - ميٽيلائيزڊ فلم IGBT سنبر ڪيپيسيٽر - CRE، پراڊڪٽ سڄي دنيا کي فراهم ڪندو، جهڙوڪ : البانيا، مڪي، منگوليا، اسان جون سڀئي شيون برطانيه، جرمني، فرانس، اسپين، آمريڪا، ڪئناڊا، ايران، عراق، وچ اوڀر ۽ آفريڪا ۾ گراهڪن کي برآمد ڪيون وينديون آهن.اسان جون پروڊڪٽس اسان جي گراهڪن پاران اعلي معيار، مقابلي واري قيمتن ۽ سڀ کان وڌيڪ سازگار اندازن لاء ڀليڪار آهن.اسان سڀني گراهڪن سان ڪاروباري تعلق قائم ڪرڻ جي اميد رکون ٿا ۽ زندگي لاء وڌيڪ خوبصورت رنگ آڻينداسين.

اي پي ايس ايپليڪيشن لاءِ اي سي فلٽر

اليڪٽرڪ ڪار Capacitor