Metalized فلم IGBT Snubber capacitor

مختصر وضاحت:

1. پلاسٽڪ ڪيس، رال سان مهر؛

2. Tin-plated copper inserts Leads، IGBT لاءِ آسان تنصيب؛

3. اعلي وولٹیج جي مزاحمت، گھٽ tgδ، گھٽ درجه حرارت اڀار؛

4. گھٽ ESL ۽ ESR؛

5. هاء نبض موجوده.

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائونلوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

SMJ-P سيريز

پاور اليڪٽرانڪس ايپليڪيشنن ۾، هڪ سنوبر ڪئپسيٽر هڪ وڏي-موجوده سوئچنگ نوڊ سان ڳنڍيل آهي جنهن جي مقصد لاء برقي وائرنگ جي پارسيٽڪ انڊڪشن کي گهٽائڻ لاء.

Parasitic inductance سوئچ آف تي وڏي واڌ جو سبب بڻجندو آهي (جڏهن ڪرنٽ بند ڪيو ويندو آهي)، ۽ جيڪڏهن اهڙي سرجز جزو جي درجه بندي کان وڌي وڃي، بدترين صورت ۾ نتيجي ۾ ناڪامي جا خدشا آهن.

گھٽ انڊڪٽانس اندروني اڏاوتن کي استعمال ڪندي، اختياري ٺهيل رال ڪيس، ۽ ڪسٽمائيز ٽرمينيشنز، SMJ-P سيريز تيز رفتار سوئچنگ IGBTS لاءِ ٺهيل آهن ۽ سنوبرز ۽ اعلي موجوده هاءِ فریکوئنسي ان پٽ فلٽر جي طور تي ڪم ڪري سگهن ٿيون.

ٽيڪنيڪل ڊيٽا

وولٽيج	Un 700V.DC، Urms400Vac؛ Us1050V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR @ 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
وولٽيج	Un 1000V.DC، Urms500Vac؛ Us1500V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974ع	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
وولٽيج	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974ع	32
وولٽيج	Un 1700V.DC، Urms575Vac؛ Us2250V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884. ٿو	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980ع	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
وولٽيج	Un 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984. ٿو	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
وولٽيج	Un3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28