گھٽ ۾ گھٽ قيمت ڪيپيسيٽر لاءِ وچولي فريڪوئنسي انڊيشن فرنس لاءِ - اعليٰ درجي جي IGBT سنبر ڪيپيسيٽر ڊيزائن لاءِ اعليٰ طاقت واري ايپليڪيشن - CRE

گھٽ ۾ گھٽ قيمت ڪيپيسيٽر لاءِ ميڊيم فريڪوئنسي انڊيشن فرنس لاءِ - اعليٰ درجي جي IGBT سنوبر ڪيپيسيٽر ڊيزائن لاءِ اعليٰ طاقت واري ايپليڪيشن - CRE فيچر ٿيل تصوير

مختصر وضاحت:

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائونلوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

لاڳاپيل وڊيو

راءِ (2)

اسان ڪوشش ڪريون ٿا عظيميت لاءِ، ڪمپني جي گراهڪ"، اميد آهي ته اعليٰ تعاون جي ٽيم ۽ عملدار، سپلائرز ۽ گراهڪ لاءِ ڊومنيٽر ڪمپني، حقيقي قيمت جي حصيداري ۽ مسلسل مارڪيٽنگ لاءِ.ونڊ پاور جنريٽر لاءِ Capacitor , وچولي فريڪوئنسي انڊڪشن فرنس ڪيپيسيٽر , وائرليس چارجنگ ايپليڪيشن لاءِ گونج ڪندڙ ڪيپيسيٽر، جيڪڏھن توھان ڳولي رھيا آھيو سٺي معيار، تيز ترسيل، بھترين خدمت کان پوء ۽ سٺي قيمت فراهم ڪندڙ چين ۾ ڊگھي مدت جي ڪاروباري تعلقات لاء، اسان توھان جو بھترين انتخاب ھونداسين.

گھٽ ۾ گھٽ قيمت ڪيپيسيٽر لاءِ وچولي فريڪوئنسي انڊيشن فرنس لاءِ - اعليٰ درجي جي IGBT سنوبر ڪيپيسيٽر ڊيزائن لاءِ اعليٰ پاور ايپليڪيشنون - CRE تفصيل:

ٽيڪنيڪل ڊيٽا

آپريٽنگ جي درجه حرارت جي حد	وڌ ۾ وڌ آپريٽنگ گرمي پد، مٿي، وڌ ۾ وڌ: +105 ℃ اپر درجه حرارت: +85 ℃ هيٺين درجه حرارت: -40 ℃
گنجائش جي حد	0.1μF ~ 5.6μF
شرح وولٹیج	700V.DC ～3000V.DC
ڪيپ ٽول	±5%(J)؛ ±10%(K)
وولٹیج کي برداشت ڪريو	1.5Un DC/10S
خارج ڪرڻ وارو عنصر	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
موصليت جي مزاحمت	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S تي) C＞0.33μF RS*C≥5000S (at20℃ 100V.DC 60S)
موجوده هڙتال کي برداشت ڪريو	datasheet ڏسو
شعاع جي بندش	UL94V-0
زندگي جي اميد	100000h (Un؛ Θhotspot≤85°C)
حوالو معيار	IEC61071؛ GB/T17702؛

وضاحت جي جدول

وولٽيج	Un 700V.DC، Urms400Vac؛ Us1050V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR @ 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
وولٽيج	Un 1000V.DC، Urms500Vac؛ Us1500V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974ع	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
وولٽيج	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974ع	32
وولٽيج	Un 1700V.DC، Urms575Vac؛ Us2250V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884. ٿو	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980ع	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
وولٽيج	Un 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984. ٿو	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
وولٽيج	Un3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

پيداوار جي تفصيل تصويرون:

لاڳاپيل پراڊڪٽ گائيڊ:

گڏو گڏ "ڪلائنٽ-Oriented" انٽرپرائز فلسفو، هڪ مشڪل سٺي معيار جي ڪنٽرول ٽيڪنڪ، نفيس پيداواري سامان ۽ هڪ مضبوط آر اينڊ ڊي اسٽاف، اسان عام طور تي پيش ڪريون ٿا اعليٰ معيار جو سامان، بهترين حل ۽ جارحانه قيمتون گهٽ قيمت لاءِ ڪيپيسيٽر لاءِ وچولي فريڪوئنسي انڊيشن فرنس لاءِ. هاءِ پاور ايپليڪيشنن لاءِ اعليٰ درجي جي IGBT سنوبر ڪيپيسيٽر ڊيزائن - CRE، پراڊڪٽ سڄي دنيا کي فراهم ڪندو، جهڙوڪ: هالينڊ، انگولا، منگوليا، اسان جي ٽيم چڱي طرح ڄاڻي ٿي مختلف ملڪن ۾ مارڪيٽ جي گهرج، ۽ مناسب فراهم ڪرڻ جي قابل آهي. مختلف مارڪيٽن ۾ بهترين قيمتن تي معيار جون شيون ۽ حل.اسان جي ڪمپني اڳ ۾ ئي هڪ تجربيڪار، تخليقي ۽ ذميوار ٽيم قائم ڪري چڪي آهي ته جيئن ڪلائنٽ کي ملٽي ون اصول سان ترقي ڪري.

شمسي inverter لاء ڪسٽمائيز Capacitor