IGBT ايپليڪيشن لاءِ پولي پروپيلين فلم سنبر ڪيپيسيٽر جو گهٽ نقصان وارو ڊائي اليڪٽرڪ - CRE

مختصر وضاحت:

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائون لوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

لاڳاپيل وڊيو

راءِ (2)

جدت، شاندار ۽ اعتبار اسان جي ڪمپني جا بنيادي قدر آهن. اهي اصول اڄ اڳي کان وڌيڪ اسان جي ڪاميابي جو بنياد آهن جيئن هڪ بين الاقوامي طور تي فعال وچولي سائيز ڪاروبار لاءِآٽوميٽو ايپليڪيشن لاءِ ڊي سي-لنڪ ڪيپيسيٽر , پاور ڪنورٽرز ۾ ڊي سي-لنڪ ڪيپيسٽرز , هاءِ وولٽيج پولي پروپلين فلم ڪيپيسيٽر، اسان معيار ۽ گراهڪن جي اطمينان کي ترجيح ڏيون ٿا ۽ ان لاءِ اسان سخت معيار جي ڪنٽرول جي قدمن تي عمل ڪريون ٿا. اسان وٽ گھر ۾ جانچ جون سهولتون آهن جتي اسان جي شين کي مختلف پروسيسنگ مرحلن تي هر پهلو تي جانچيو ويندو آهي. جديد ٽيڪنالاجي جي مالڪي ڪندي، اسان پنهنجي گراهڪن کي ڪسٽمائيز پيداوار جي سهولت فراهم ڪندا آهيون.

IGBT ايپليڪيشن لاءِ پولي پروپيلين فلم سنبر ڪيپيسيٽر جو گهٽ نقصان وارو ڊائي اليڪٽرڪ - CRE تفصيل:

ايس ايم جي-پي سيريز

ريٽيڊ وولٽيج جي حد: 1000 وي ڊي سي کان 2000 وي ڊي سي
گنجائش جي حد: 0.1 uf کان 3.0 uf تائين
چڙهڻ جي پچ: 22.5 ملي ميٽر کان 48 ملي ميٽر
تعمير: ڌاتو ٿيل پولي پروپلين ڊائي اليڪٽرڪ اندروني سيريز ڪنيڪشن
درخواست: IGBT تحفظ، گونج ٽينڪ سرڪٽ

خود شفا ڏيندڙ، خشڪ قسم جا، سنبر ڪيپيسيٽر عنصر خاص طور تي پروفائل ٿيل، ويو ڪٽ ميٽلائيزڊ پي پي فلم استعمال ڪندي تيار ڪيا ويندا آهن جيڪي گهٽ خود انڊڪٽنس، اعليٰ ڦاٽڻ جي مزاحمت ۽ اعليٰ اعتبار کي يقيني بڻائين ٿا. اوور پريشر ڊسڪنيڪشن ضروري نه سمجهيو ويندو آهي. ڪيپيسيٽر ٽاپ کي خود بجھائيندڙ ماحول دوست ايپوڪسي سان سيل ڪيو ويو آهي. خاص ڊيزائن تمام گهٽ خود انڊڪٽنس کي يقيني بڻائي ٿي.

IMG_0397.HEIC

وضاحتي جدول

وولٽيج	700V.DC، Urms400V؛ Us1050V
	ماپ (ايم ايم)
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	ESR @100KHz (mΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	بجلي @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

وولٽيج	1000V کان گهٽ ڊي سي، 500V يو آر ايم؛ 1500V يو آر ايم
	ماپ (ايم ايم)
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

وولٽيج	1200V.DC، Urms550V؛ Us1800V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32

وولٽيج	1700V.DC، Urms575Vac؛ Us2250V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

وولٽيج	اڻ 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

وولٽيج	3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سي اين (μF)	ايل (± 1)	ٽي (± 1)	ايڇ (± 1)	اي ايس آر (ايمΩ)	اي ايس ايل (اين ايڇ)	ڊي وي/ڊي ٽي (وي/μS)	آئي پي ڪي (اي)	آئي آر ايمز
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

پيداوار جي تفصيل جون تصويرون:

لاڳاپيل پراڊڪٽ گائيڊ:

اسان "گراهڪ دوست، معيار تي مبني، مربوط، جديد" کي مقصد طور وٺون ٿا. "سچائي ۽ ايمانداري" اسان جي انتظاميا لاءِ مثالي آهي Igbt لاءِ فيڪٽري ٺاهڻ وارو سنبر ڪيپيسيٽر - IGBT ايپليڪيشن لاءِ پولي پروپيلين فلم سنبر ڪيپيسيٽر جو گهٽ نقصان ڊائي اليڪٽرڪ - CRE، پراڊڪٽ سڄي دنيا کي فراهم ڪندو، جهڙوڪ: گھانا، هيٽي، برازيليا، اسان جون شيون استعمال ڪندڙن پاران وڏي پيماني تي سڃاتل ۽ قابل اعتماد آهن ۽ معاشي ۽ سماجي ضرورتن جي مسلسل تبديلي کي پورو ڪري سگهن ٿيون. اسان زندگي جي سڀني شعبن مان نون ۽ پراڻن گراهڪن کي ڀليڪار ڪريون ٿا ته مستقبل جي ڪاروباري لاڳاپن ۽ باهمي ڪاميابي لاءِ اسان سان رابطو ڪن!

اي سي فلم ڪيپيسٽر بينڪ