Igbt لاءِ سنبر ڪيپيسيٽر ٺاهڻ جو ڪارخانو - IGBT ايپليڪيشن لاءِ پولي پروپيلين فلم سنبر ڪيپيسيٽر جي گھٽ نقصان واري ڊيليڪٽرڪ - CRE

Igbt لاءِ سنبر ڪيپيسيٽر ٺاهڻ جو ڪارخانو - پولي پروپيلين فلم جي گھٽ نقصان واري ڊيليڪٽرڪ سنبر ڪيپيسيٽر IGBT ايپليڪيشن لاءِ - CRE فيچر ٿيل تصوير

مختصر وضاحت:

اسان کي اي ميل موڪليو PDF طور ڊائونلوڊ ڪريو

پيداوار جي تفصيل

پراڊڪٽ ٽيگ

لاڳاپيل وڊيو

راءِ (2)

چڱي طرح هلائيندڙ پراڊڪٽس، ماهر آمدني گروپ، ۽ بهتر بعد ۾ وڪرو مصنوعات ۽ خدمتون؛اسان هڪ متحد وڏي خاندان پڻ رهيا آهيون، سڀ ماڻهو واپار جي قيمت سان گڏ "اتحاد، وقف، رواداري" سان گڏ آهن.بيٽري چارجنگ سسٽم لاءِ ڊي سي ڪيپيسٽر , سلنڈر پلاسٽڪ ڪيس Capacitor , Metallized Pp فلم Capacitor، ڏسندي ايمان آڻي ٿو!اسان خلوص دل سان نون گراهڪن کي ڀليڪار ڪيون ٿا ٻاهرين ملڪ تنظيمن جي تنظيمن جي تعمير لاءِ ۽ اميد رکون ٿا ته انجمنن کي مضبوط ڪرڻ دوران ڊگهي قائم ڪيل امڪانن کي استعمال ڪندي.

Igbt لاءِ سنبر ڪيپيسيٽر ٺاهڻ جو ڪارخانو - IGBT ايپليڪيشن لاءِ پولي پروپيلين فلم سنبر ڪيپيسيٽر جي گھٽ نقصان واري ڊيليڪٽرڪ - CRE تفصيل:

SMJ-P سيريز

درجه بندي وولٽيج جي حد: 1000 VDC کان 2000 VDC
گنجائش جي حد: 0.1 uf کان 3.0 uf
چڙهڻ پچ: 22.5 ملي ايم کان 48 ملي ايم
تعمير: Metallized Polypropylene Dielectric اندروني سيريز ڪنيڪشن
ايپليڪيشن: IGBT تحفظ، گونج ٽينڪ سرڪٽس

خود شفا ڏيڻ، خشڪ قسم جي، سنوبر ڪيپيسٽر عناصر خاص طور تي پروفائيل، موج ڪٽ ميٽيلائزڊ پي پي فلم استعمال ڪندي پيدا ڪيا ويا آهن جيڪي گهٽ خود انڊڪٽنس، اعلي ڀڃڻ جي مزاحمت ۽ اعلي اعتبار کي يقيني بڻائي ٿي.اوور پريشر ڊسڪشن ضروري نه سمجهيو ويندو آهي.ڪيپيسيٽر جي چوٽي کي خود بُجھائيندڙ ماحول دوست ايپوڪسي سان بند ڪيو ويو آهي.خاص ڊيزائن کي يقيني بڻائي ٿو تمام گهٽ خود انسائيڪلوپيڊيا.

IMG_0397.HEIC

وضاحت جي جدول

وولٽيج	Un 700V.DC، Urms400Vac؛ Us1050V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR @ 100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

وولٽيج	Un 1000V.DC، Urms500Vac؛ Us1500V
	ماپ (mm)
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974ع	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

وولٽيج	Un 1200V.DC، Urms550Vac؛ Us1800V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974ع	32

وولٽيج	Un 1700V.DC، Urms575Vac؛ Us2250V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884. ٿو	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980ع	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32

وولٽيج	Un 2000V.DC، Urms700Vac؛ Us3000V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984. ٿو	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32

وولٽيج	Un3000V.DC، Urms750Vac؛ Us4500V
سي اين (μF)	L(±1)	T(±1)	ايڇ (±1)	ESR (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	آرمس
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

پيداوار جي تفصيل تصويرون:

لاڳاپيل پراڊڪٽ گائيڊ:

معاهدي جي پاسداري ڪريو"، مارڪيٽ جي ضرورتن جي مطابق، مارڪيٽ جي مقابلي ۾ ان جي اعلي معيار سان شامل ٿئي ٿي، جيئن ته خريد ڪندڙن لاء تمام گهڻي جامع ۽ عظيم ڪمپني فراهم ڪري ٿي ته جيئن اهي وڏي فاتح ۾ ترقي ڪن. Igbt لاءِ فيڪٽري ٺاهڻ واري سنبر ڪيپيسيٽر لاءِ اطمينان - IGBT ايپليڪيشن لاءِ پولي پروپيلين فلم سنبر ڪيپيسيٽر جي گھٽ نقصان واري ڊيليڪٽرڪ - CRE , پراڊڪٽ سڄي دنيا کي فراهم ڪندو، جهڙوڪ: Provence, Oslo, Ecuador, ڇا اسان جي موجوده پراڊڪٽ کي چونڊيو توهان جي درخواست لاءِ ڪيٽلاگ يا انجنيئرنگ جي مدد حاصل ڪرڻ لاءِ، توهان اسان جي ڪسٽمر سروس سينٽر سان ڳالهائي سگهو ٿا توهان جي سورسنگ گهرجن جي باري ۾ اسان توهان کي ذاتي طور تي مقابلي واري قيمت سان سٺي معيار فراهم ڪري سگهون ٿا.

اي سي فلم ڪئپسيٽر بئنڪ

اي سي پاور سپلائي ڪيپيسٽر

ڪمپيڪٽ ڊيزائن فلم ڪيپيسٽر

حسب ضرورت فلم Capacitor

Dc-Link Capacitor قابل تجديد توانائي سسٽم لاءِ

اليڪٽرانڪ Capacitor

Pv انورٽر لاءِ ٺهيل فلم ڪيپيسيٽر

اعلي ڪارڪردگي فلم Capacitor

انورٽر ڊي سي لنڪ ڪيپيسيٽر

Ul منظور ٿيل فلم Capacitor

ڪارخاني جو سامان صنعت ۾ ترقي يافته آهي ۽ پيداوار ٺيڪ ڪم ڪار آهي، ان کان علاوه قيمت تمام سستو آهي، پئسن جي قيمت!

صابرينا سلوواڪيا کان - 2017.08.28 16:02

سيلز مئنيجر وٽ سٺو انگريزي سطح ۽ ماهر پيشه ور علم آهي، اسان وٽ سٺو ڪميونيڪيشن آهي.هو هڪ گرم ۽ خوش مزاج ماڻهو آهي، اسان سان خوشگوار تعاون آهي ۽ اسان نجي ۾ تمام سٺا دوست بڻجي ويا آهيون.

مائڪ پاران انگولا کان - 2018.09.08 17:09